[实用新型]一种SE电池分段式掩膜结构有效
申请号: | 201320239616.5 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN203192828U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 黄智;李质磊;隋海波;侯林钧;徐涛;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种SE电池分段式掩膜结构,包括在扩散面上用SE刻蚀掩膜浆料形成SE掩膜图形的步骤,所述SE掩膜图形对应细栅线的部分是分段式的不连续形状,形成分段式SE掩膜涂料覆盖区。用本实用新型所述的SE电池分段式掩膜结构,通过将SE刻蚀掩膜将传统的直通式SE掩膜涂料覆盖区按一定规则改为多个分段式SE掩膜涂料覆盖区,可保证或提升电池片转换效率的目的,同时减少了SE浆料用料,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 se 电池 段式 膜结构 | ||
【主权项】:
一种SE电池分段式掩膜结构,包括细栅线电极,所述细栅线电极通过细栅线SE掩膜涂料层与电池片本体实现欧姆接触,其特征在于:所述细栅线SE掩膜涂料层是由多个分段式SE掩膜涂料覆盖区构成的分段式不连续形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的