[发明专利]一种整流二极管的制作方法

摘要

本发明涉及二极管生产工艺领域，具体涉及一种整流二极管的制作方法，包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤，其特征在于，采用磷、硼、铂液态源一次全扩散工艺，通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布，采用开管扩散，扩散炉温度为1250±1℃,扩散时间为12～15小时，放入磷源、硼源和铂微粉，P型区要求R□P=1.1～1.3 R□/Ω，XjP=90±3μm。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1）提高了硅片表面浓度的均匀性，比纸源扩散工艺缩短20-22h。2）使用寿命比普通二极管增加1500小时左右。

主权项

1.一种整流二极管的制作方法，包括硅片超砂、硅片清洗、清洗石英架和石英砣、扩散、检测、扩散源制作步骤，其特征在于，采用磷、硼、铂液态源一次全扩散工艺，通过磷硅玻璃吸收实现少子寿命的优化分布，其具体操作步骤如下：1）硅片超砂将硅片摆在高温四氟架上，放入清洗液中，清洗液的配比是，电子清洗液：去离子水=2.7ml：1000ml，超声清洗30～40分钟，再用60℃～70℃去离子水冲洗，用高纯去离子水超120～150分钟，每30～35分钟更换一次高纯去离子水，然后，用冷热去离子水交替冲洗四遍；2）硅片清洗将超砂完的硅片放入1#液中，1#液的配比按体积比是，氨水：过氧化氢：高纯去离子水=1：2：5，在加热器上煮10～15分钟，然后，用高纯去离子水冲洗10～15遍，再换上新1#液重复煮一遍，最后用冷热高纯去离子水交替冲洗20～25遍；2#液的配比按体积比是，盐酸：过氧化氢：高纯去离子水=1：2：7.在加热器上煮10～15分钟，然后，用高纯去离子水冲洗10～12遍，再换上新2#液重复煮一遍，用冷热高纯去离子水交替各冲洗20遍，最后将清洗干净的硅片放入140～145℃烘箱中烘4～4.5小时；3）清洗石英架、石英砣将石英架、石英砣放入体积比为H₂O：HF=5：1的氢氟酸溶液中浸泡30～35分钟，然后，取出用冷热高纯去离子水冲洗各20～25遍，放入140～145℃烘箱中烘2～2.5小时；4）磷、硼、铂液态源一次全扩散采用开管扩散，扩散炉温度为1250±1℃,扩散时间为12～15小时，放入磷源、硼源和铂，P型区要求R□P=1.1～1.3R□/，XjP=90±3μm，扩散时间到后关闭扩散炉电源，自然降温至室温，取出石英架；5）检测在伏安特性电压测试台测试全扩散后的硅单晶片，其阻断电压2100V时硼面浓度为R□P=1.1～1.3R□/，XjP=90±3μm，磷面浓度为R□N=0.6～0.7R□/，XjN=28+2μm。