[发明专利]一种大功率IGBT模块封装结构无效
| 申请号： | 201210530554.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103035587A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张朋;韩荣刚;于坤山;金锐;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大功率IGBT模块封装结构，所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线；所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布，所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接，所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部，所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连，所述控制电极通过环氧树脂层紧固，其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。本发明通过增加环氧树脂层增加了IGBT模块的气密性，同时对控制电极可起到紧固支撑的作用，从而简化了控制电极结构，同时便于覆铜陶瓷基板上半导体芯片的布局设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 igbt 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率IGBT模块封装结构，其特征在于：所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线；所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布，所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接，所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部，所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连，所述控制电极通过环氧树脂层紧固，其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。
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