[发明专利]沟槽栅晶体管及其制造方法

摘要

本公开涉及沟槽栅晶体管及其制造方法。沟槽栅晶体管由半导体衬底形成，该半导体衬底的上表面覆盖以氧化物电介质层。沟槽栅晶体管具有漏区、体区、源区和沟槽，该沟槽衬以栅绝缘体，该栅绝缘体将沟槽中形成的导电栅电极与体区电绝缘。体区具有远离沟槽向漏区延伸的倾斜上表面。该倾斜上表面利用通过掩模中的至少一个开口将氧化物电介质层暴露于氧化气氛形成，由此形成电介质区。电介质区包括氧化物电介质层和半导体衬底的牺牲区。

主权项

一种沟槽栅晶体管，其由包括以下步骤的方法制造：提供具有半导体衬底的初始半导体衬底结构，所述半导体衬底的上表面覆盖以氧化物电介质层，所述氧化物电介质层上具有掩模，其中所述半导体衬底掺杂有第一类型的掺杂注入剂；通过所述掩模中的至少一个开口将所述氧化物电介质层暴露于氧化气氛，从而形成包含所述氧化物电介质层和所述半导体衬底的牺牲区的电介质区，其中所述电介质区形成所述半导体衬底上的倾斜上表面；形成延伸穿过所述电介质区且部分进入所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽中沉积栅绝缘体和导电栅电极，所述栅绝缘体提供所述导电栅电极与半导体衬底之间的电介质隔板；去除所述电介质区以暴露所述半导体衬底的倾斜上表面；用与所述第一类型的掺杂注入剂相反的第二类型的掺杂注入剂掺杂与所述沟槽和倾斜上表面二者相邻的所述半导体衬底的区域，由此将所述半导体衬底划分为体区和漏区；用所述第一类型的掺杂注入剂掺杂所述体区的部分，以形成与所述沟槽和倾斜上表面二者相邻的源区；以及在所述源区和所述体区的倾斜表面二者的至少部分上形成源接触件。