[发明专利]一种铝栅极及其制备方法和包括该铝栅极的薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201210499580.4 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN102983157A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 蔡世星;邱勇;黄秀颀;平山秀雄;李建文;习王峰;郭瑞 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
主分类号: H01L29/49 分类号: H01L29/49;H01L21/28;H01L29/786
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种铝栅极及其制备方法和包括该铝栅极的薄膜晶体管,其中,铝栅极,包括铝栅极本体和覆盖在所述铝栅极本体的外表面和侧壁上的盖层,盖层由热涨系数小于20的金属制备而成。由于金属盖层选择热涨系数小于20的金属,在高温时,不容易发生膨胀,当铝栅极本体发生膨胀时,产生的压缩应力被金属盖层吸收,能够防止铝栅极本体表面或者表面和侧壁发生小丘和腐蚀现象,防止栅极与源极、漏极及其引线短路。
搜索关键词: 一种 栅极 及其 制备 方法 包括 薄膜晶体管
【主权项】:
一种铝栅极,包括:铝栅极本体,形成于基板上;第一盖层(1),设置于所述铝栅极本体上与所述基板相对位置的上表面上;其特征在于:还包括包覆于所述铝栅极本体四周的第二盖层(7),且所述第二盖层(7)与所述第一盖层(1)之间无缝相接;所述第一盖层(1)和所述第二盖层(7)由热涨系数小于20的金属制备而成。
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