[发明专利]一种背面抛光硅片的制备方法

摘要

本发明公开一种背面抛光硅片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：将已扩散的硅片使用氢氟酸、硝酸混合溶液清洗表面磷硅玻璃清洗，完成后使用氢氟酸、硝酸、硫酸混合溶液进行背面刻蚀，形成抛光效果，然后使用氢氧化钠溶液清洗上述反应产生的多孔硅，并使用氢氟酸中和碱液，最终使用纯水清理硅片表面，热风烘干。本发明方法制作的背面抛光硅片提高了电池光吸收，提高电池转化效率，降低了生产成本。

主权项

一种背面抛光硅片的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将已扩散的硅片用氢氟酸、硝酸的混合液清洗表面磷硅玻璃，清洗时间控制在3‑5min；(2)把步骤(1)清洗完的硅片送入湿法刻蚀机，刻蚀时间2‑6min，刻蚀液为强酸性溶液；(3)将步骤(2)得到的硅片用氢氧化钠溶液浸泡，去除反应生成的多孔硅，氢氧化钠溶液质量浓度为4%‑6%，浸泡时间为20‑40s；(4)将步骤(3)得到的硅片用氢氟酸溶液浸泡清洗，中和表面碱液，氢氟酸溶液的质量浓度为7%‑9%，浸泡时间为20‑40s；(5)将步骤(4)得到的硅片用纯水冲洗，冲洗时间为30‑40s；(6)用风刀吹干步骤(5)得到的硅片，热风温度为30‑50℃。