[发明专利]半导体三极管内部偏置电阻的测试方法

摘要

本发明公开了一种判定半导体三极管内部偏置电阻值的测试方法，在三极管eb结上加反向电压，反向电压小于反向击穿电压，eb结上产生反向电流，把测得的三极管eb结上两端所加电压的差值与电流差值相比，得到第一电阻与第二电阻的和值，加大反向电压，使反向电压大于反向击穿电压，三极管eb结雪崩击穿，eb结上并联的第二电阻被短路，测得相应的反向电流，该电压值与电流值相比就是第一电阻的阻值，根据电阻的阻值是否落入标准电阻值的误差范围来判别三极管是否符合规格要求，这样的方法，实现准确测量三极管偏置电阻值的大小，保证产品质量、提高检测效率、降低生产成本，为实现以自动化设备来测试筛选三极管偏置电阻提供可能。

主权项

判定半导体三极管内部偏置电阻值的测试方法，用于测试的三极管结构为内部晶片上的基极上串联有第一电阻（R1），三极管的基极与发射极上并联有第二电阻（R2），其特征在于：包括如下步骤：步骤1，通过晶体管特性图示仪显示三极管的反向特性曲线图，根据反向特性曲线图中的拐点（B）初步确定三极管的eb结反向击穿电压U(BR)EBO和反向电流I；步骤2，将三极管设置在测试电路中，在三极管eb结上加一反向电压UB，该反向电压UB要小于三极管eb结反向击穿电压U(BR)EBO，三极管eb结上产生相应的反向电流IB，随着反向电压的增加，反向电流逐渐上升，呈现一典型电阻特性，把测得的三极管eb结上两端所加电压的差值与电流差值相比，就得到第一电阻（R1）与第二电阻（R2）的电阻和值；步骤3，加大反向电压，使反向电压UC大于晶体管eb结反向击穿电压U(BR)EBO，三极管eb结雪崩击穿，三极管eb结上并联的第二电阻（R2）被短路，测得相应的反向电流IC，由于基极里有串联第一电阻（R1），该电压值UC与电流值IC相比就是第一电阻（R1）的阻值，再把步骤1得到的第一电阻（R1）与第二电阻（R2）的电阻和值减去第一电阻（R1）的阻值就是第二电阻（R2）的阻值；步骤4，根据第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的阻值是否落入标准电阻值的误差范围来判别三极管是否符合规格要求。