[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201210447946.3 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103811343A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了FinFET及其制造方法。该FinFET的制造方法包括：在半导体衬底上形成用于限定半导体鳍片的开口；形成栅极电介质，该栅极电介质共形地覆盖半导体鳍片和开口；在开口内形成第一栅极导体，该第一栅极导体与半导体鳍片的下部相邻；在开口内形成位于第一栅极导体上的绝缘隔离层；形成第二栅极导体，该第二栅极导体的第一部分位于绝缘隔离层上并且与半导体鳍片的上部相邻，该第二栅极导体的第二部分位于半导体鳍片上方；在第二栅极导体侧壁上形成侧墙；以及在半导体鳍片中形成源区和漏区。本发明的FinFET利用第一栅极导体向半导体鳍片的下部施加偏压以减小源区和漏区之间的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET的制造方法，包括：在半导体衬底上形成用于限定半导体鳍片的开口；形成栅极电介质，该栅极电介质共形地覆盖半导体鳍片和开口；在开口内形成第一栅极导体，该第一栅极导体与半导体鳍片的下部相邻；在开口内形成位于第一栅极导体上的绝缘隔离层；形成第二栅极导体，该第二栅极导体的第一部分位于绝缘隔离层上并且与半导体鳍片的上部相邻，该第二栅极导体的第二部分位于半导体鳍片上方；在第二栅极导体侧壁上形成侧墙；以及在半导体鳍片中形成源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
