[发明专利]半导体分布反馈激光器无效
| 申请号： | 201210442009.9 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103812002A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 耿振民 | 申请（专利权）人： | 无锡华御信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/125 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 温子云 |
| 地址： | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体分布反馈激光器，包括：有源层、波导层、上包层、下包层，所述有源区具有应变量子阱和应变量子垒交替混合的结构，所述波导层内具有分布反馈激光器腔折射率光栅；其特征在于：所述有源区、波导层、上包层和下包层优选采用热膨胀系数相同或相近的材料制成，所述有源区的压缩应变量子阱的应变值为0.2~1.0%，拉伸应变量子垒的应变值为0.2~1.0%。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 分布 反馈 激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体分布反馈激光器，包括：有源层、波导层、上包层、下包层，所述有源区具有应变量子阱和应变量子垒交替混合的结构，所述波导层内具有分布反馈激光器腔折射率光栅；其特征在于：所述有源区、波导层、上包层和下包层优选采用热膨胀系数相同或相近的材料制成，所述有源区的压缩应变量子阱的应变值为0.2~1.0%，拉伸应变量子垒的应变值为0.2~1.0%。
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