[发明专利]高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路

摘要

本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。

主权项

一种高压半桥驱动芯片的欠压保护方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)给高压半桥驱动芯片上电，使高压半桥驱动芯片处于工作状态；S2)采集低侧电源电压VCC，若低侧电源电压VCC低于设定的低侧欠压阈值，所述低侧欠压阈值为VCCU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道和低侧通道都输出低电平，从而关闭所述高压半桥驱动芯片驱动的半桥中的上功率管M1和下功率管M2，若低侧电源电压高于低侧欠压阈值，则进行下面的一个步骤；S3)采集高侧电源电压VB，比较高侧电源电压和高侧欠压阈值的大小，所述高侧欠压阈值为VBSU，若高侧电源电压低于高侧欠压阈值，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，从而关闭高压半桥驱动芯片驱动的半桥中的上功率管M1，开通下功率管M2，使低侧电压源通过下功率管M2给自举电容CB充电，直到高侧电源电压大于高侧欠压阈值，撤除控制信号；若高侧电源电压高于高侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片的高侧和低侧的输出和输入保持一致，高压半桥驱动芯片正常工作；S4)返回上S2)。