[发明专利]高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路

权利要求书

1.一种高压半桥驱动芯片的欠压保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)给高压半桥驱动芯片上电，使高压半桥驱动芯片处于工作状态；

S2)采集低侧电源电压VCC，若低侧电源电压VCC低于设定的低侧欠压阈值，所述低侧欠压阈值为VCCU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道和低侧通道都输出低电平，从而关闭所述高压半桥驱动芯片驱动的半桥中的上功率管M1和下功率管M2，若低侧电源电压高于低侧欠压阈值，则进行下面的一个步骤；

S3)采集高侧电源电压VB，比较高侧电源电压和高侧欠压阈值的大小，所述高侧欠压阈值为VBSU，若高侧电源电压低于高侧欠压阈值，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，从而关闭高压半桥驱动芯片驱动的半桥中的上功率管M1，开通下功率管M2，使低侧电压源通过下功率管M2给自举电容C_B充电，直到高侧电源电压大于高侧欠压阈值，撤除控制信号；若高侧电源电压高于高侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片的高侧和低侧的输出和输入保持一致，高压半桥驱动芯片正常工作；

S4)返回上S2)。

2.一种高压半桥电路，包括高压半桥驱动电路（1），在高压半桥驱动电路（1）的高侧输出端HO及低侧输出端LO上分别连接有上功率管M1及下功率管M2且高侧输出端HO及低侧输出端LO分别与上功率管M1及下功率管M2的栅端连接，所述上功率管M1的源端及下功率管M2的漏端连接且与高压半桥驱动电路（1）的高侧地VS连接，上功率管M1的漏端接母线电压VH，下功率管M2的源端接低侧地COM，在高压半桥驱动电路（1）的低侧电源端VCC与高侧地VS之间设有二极管D_B及自举电容C_B，二极管DB的阴极与自举电容C_B的一端连接且与高压半桥驱动电路（1）的高侧电源VB连接，二极管D_B阳极及自举电容C_B的另一端分别与高压半桥驱动电路（1）的低侧电源端VCC及高侧地VS连接，其特征在于，高压半桥驱动电路（1）包括高侧驱动电路（2）、低侧驱动电路（3）、第一比较器COMP43、第二比较器COMP44、高侧逻辑模块（6）、低侧逻辑模块（7）、脉冲产生器（8）及低侧延时电路（9），高侧驱动电路（2）包括高侧电源电压检测电路（4）和高侧电平移位电路（5），高侧电源电压检测电路（4）的PORT2输出端口与第一比较器COMP43的一个输入端连接，高侧电源电压检测电路（4）的PORT3输入端口与第一比较器COMP43的输出端连接，高侧电源电压检测电路（4）的PORT1输入端口与高侧电平移位电路（5）的驱动信号输出D端连接，第一比较器COMP43的输出端与高侧逻辑模块（6）的输入A端连接且第一比较器COMP43的输出端通过反相器与低侧逻辑模块（7）的输入A端连接，低侧驱动电路（3）的采样输出端与第二比较器COMP44的一个输入端连接，第二比较器COMP44的输出端分别与高侧逻辑模块（6）的输入B端、低侧逻辑模块（7）的输入B端连接，在高侧逻辑模块（6）的输入C端、低侧逻辑模块（7）的输入C端上分别连接有高侧输入级（10）和低侧输入级（11），在所述第一比较器COMP43及第二比较器COMP44的另一个输入端上连接有基准电路VREF，所述高侧逻辑模块（6）的输出端与脉冲产生器（8）的输入端连接，脉冲产生器（8）的两个输出端分别与高侧电平移位电路（5）的两个输入端连接，高侧电平移位电路（5）的输出端作为高压半桥驱动电路（1）的高侧输出端HO，低侧逻辑模块（7）的输出端与低侧延时电路（9）的输入端连接，低侧延时电路（9）的输出端与低侧驱动电路（3）的驱动信号输入端连接，低侧驱动电路（3）的输出端作为高压半桥驱动电路（1）的低侧输出端LO。