[发明专利]半导体发光二极管结构有效
| 申请号： | 201210423090.6 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103094444A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 温伟值;郭修邑;王泰钧 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α，第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β，且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于外延结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管结构，其特征在于包括：一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于所述外延基底的所述主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中所述第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且所述第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第一夹角，所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角，且所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于所述外延结构上。
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