[发明专利]半导体发光二极管结构

权利要求书

1.一种半导体发光二极管结构，其特征在于包括：

一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；

一外延结构，设于所述外延基底的所述主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中所述第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且所述第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第一夹角，所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角，且所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此相邻；及

一电极结构，设置于所述外延结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述的外延基底是一具有凹凸结构的图案化外延基底。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于还包括一外延最底层，其中所述外延最底层是含铝的氮化层材料。

4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此不互相平行。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述彼此相邻的第一蚀刻面和所述的第二蚀刻面间有一位于所述外延结构内的夹角，且所述夹角介于90°到180°之间。

6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面都不垂直于所述外延基底的所述外露表面。

7.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述第一夹角与所述第二夹角皆呈锐角，且第一夹角小于所述第二夹角。

8.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述第一蚀刻面及所述第二蚀刻面和所述主表面的夹角都小于180°并且大于0°

9.一种半导体发光二极管结构，其特征在于包括：

一基底，包含有一主表面和一没有被发光二极管结构覆盖的表面；及

一外延结构，设于所述的基底的所述的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中所述外延结构具有一第一侧壁，且所述第一侧壁至少包含有一不同且彼此相邻的第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而且所述第一蚀刻面及所述第二蚀刻面和所述主表面的夹角都小于180°并且大于0°。

10.根据权利要求9所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述彼此相邻的所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面都不垂直于所述基底的所述没有被发光二极管结构覆盖的表面。