[发明专利]具有接触插栓的半导体结构与其形成方法

摘要

本发明公开了一种具有接触插栓的半导体结构与其形成方法。该半导体结构包含一基底、一晶体管、一第一内层介电层、一第二内层介电层以及一第一接触插栓。晶体管设置在基底上，且晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区。第一内层介电层设置在晶体管上，且与晶体管的栅极的一顶面齐平。第二内层介电层设置在第一内层介电层上。第一接触插栓设置在第一内层介电层以及第二内层介电层中，第一接触插栓包含一第一沟槽部分以及一第一介质孔部分，其中第一沟槽部分以及第一介质孔部分的一交界高于栅极的该顶面。本发明还提供一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法。

主权项

1.一种具有接触插栓的半导体结构，包含：晶体管，设置在一基底上，其中该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；第一内层介电层，设置在该晶体管上，且与该晶体管的该栅极的一顶面齐平；第二内层介电层，设置在该第一内层介电层上；以及第一接触插栓，设置在该第一内层介电层以及该第二内层介电层中，该第一接触插栓包含第一沟槽部分以及第一介质孔部分，其中该第一沟槽部分以及该第一介质孔部分的一交界高于该栅极的该顶面，其中该第一接触插栓包含第一阻障层以及第一金属层，其中该第一阻障层共形地沿着该第一沟槽部分以及该第一介质孔部分的表面设置，该第二内层介电层的一底面直接接触该栅极的该顶面、该第一内层介电层的一顶面、与部分的该第一介质孔部分。