[发明专利]具有位于源极和漏极之间的岛状件的电路结构有效
| 申请号： | 201210388402.4 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103137681A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 游承儒;熊志文;姚福伟;许竣为;余俊磊;杨富智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 具有位于源极和漏极之间的岛状件的电路结构。电路结构包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层；位于UID GaN层上方的供给层；位于供给层上方的栅极结构、漏极、及源极。多个岛状件位于栅极结构和漏极之间的供给层的上方。栅极结构设置在漏极和源极之间。栅极结构邻接岛状件之一的至少一部分和/或部分地设置在岛状件至少之一的至少一部分的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 位于 之间 岛状件 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种电路结构，包括：衬底；非故意掺杂氮化镓(UID GaN)层，位于所述衬底上方；供给层，位于所述UID GaN层上方；栅极结构、漏极、和源极，都位于所述供给层上方，所述栅极结构设置于所述漏极和所述源极之间；多个岛状件，位于所述栅极结构和所述漏极之间的所述供给层上方，其中，所述栅极结构部分地设置在所述多个岛状件的至少之一的至少一部分的上方。
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