[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽肖特基势垒二极管，解决了现有沟槽肖特基势垒二极管性能与可靠性低，反向漏电大，反向阻断能力差的问题，本发明中外延层的掺杂浓度由顶面至底面递增，沟槽中填充有第二导电类型非均匀掺杂且掺杂浓度由顶面至底面递减的导电多晶硅，凸台两侧的顶角形成第二导电类型重掺杂的凸台顶角保护区域，并且在阳极金属层底面增加了与导电多晶硅的顶面及凸台顶角保护区域的顶面均形成欧姆接触肖特基势垒金属层，本发明的沟槽肖特基势垒二极管反向漏电低，电压反向阻断能力佳，可靠性好。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，该制造方法步骤少，制造成本低，能有效隔绝因隔离层局部损伤而被工艺过程损伤和杂质玷污的区域。

主权项

一种沟槽肖特基势垒二极管，自上而下依次由阳极金属层（1）、第一导电类型轻掺杂的外延层（3）、衬底（4）及阴极金属层（5）构成，所述外延层（3）上部横向间隔设置有若干沟槽（6），相邻沟槽（6）之间的外延层（3）形成凸台（7），其特征在于，所述阳极金属层（1）与外延层（4）之间设有肖特基势垒金属层（2），所述肖特基势垒金属层（2）与凸台（7）顶面形成肖特基势垒接触，所述沟槽（6）内填充有第二导电类型非均匀掺杂的导电多晶硅（8），所述导电多晶硅（8）与沟槽（6）之间设有隔离层（9），所述凸台（7）两侧的顶角设有第二导电类型重掺杂的顶角保护区域（10），所述导电多晶硅（8）顶面及顶角保护区域（10）顶面均与肖特基势垒金属层（2）形成欧姆接触。