[发明专利]晶体管及晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210378506.7 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715088A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及晶体管的形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极结构，栅极结构包括在半导体衬底上形成的栅介质层、位于栅介质层上的栅电极，其中，在栅极结构周围的半导体衬底上形成有第一侧墙；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成∑形凹槽；在∑形凹槽中形成第一应力衬垫层，第一应力垫衬层的表面与衬底的表面持平；之后在第一侧墙周围形成第二侧墙；在第一应力衬垫层上形成第二应力衬垫层，其中，第二应力衬垫层的厚度小于等于第二侧墙的高度。第二侧墙使第二应力衬垫层到栅极结构的距离增大，减小甚至消除了第二应力衬垫层与栅极结构之间的寄生电容，提升了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上形成的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极，其中，在所述栅极结构周围的半导体衬底上形成有第一侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成∑形凹槽；在所述∑形凹槽中形成第一应力衬垫层，所述第一应力垫衬层的表面与所述衬底的表面持平；在形成第一应力衬垫层后，在所述第一侧墙周围形成第二侧墙；在形成所述第二侧墙后，在第一应力衬垫层上形成第二应力衬垫层，其中，第二应力衬垫层的厚度小于等于所述第二侧墙的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
