[发明专利]晶体管及晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上形成的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极，其中，在所述栅极结构周围的半导体衬底上形成有第一侧墙；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成∑形凹槽；

在所述∑形凹槽中形成第一应力衬垫层，所述第一应力垫衬层的表面与所述衬底的表面持平；

在形成第一应力衬垫层后，在所述第一侧墙周围形成第二侧墙；

在形成所述第二侧墙后，在第一应力衬垫层上形成第二应力衬垫层，其中，第二应力衬垫层的厚度小于等于所述第二侧墙的高度。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成∑形凹槽的方法，包括：

以所述栅极结构和第一侧墙为掩模，使用各向异性干法刻蚀工艺，刻蚀半导体衬底，在半导体衬底内形成矩形凹槽；

使用各向同性干法刻蚀工艺，刻蚀所述矩形凹槽，形成碗状凹槽；

使用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述碗状凹槽，形成∑形凹槽。

3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中，使用的刻蚀剂为氢氧化钾、氨水或四甲基氢氧化氨溶液。

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一应力衬垫层的方法，包括沉积工艺或选择性外延生长工艺。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第二应力衬垫层的方法，包括沉积工艺或外延生长工艺。

6.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层材料为锗硅材料。

7.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述晶体管为NMOS晶体管，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层材料为碳化硅材料。

8.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙为单层侧墙或多层侧墙。

9.如权利要求8所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述单层侧墙或多层侧墙的每一层材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在形成第二应力衬垫层后，进行离子注入，形成源区、漏区。

11.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为低K介电材料，所述栅电极的材料为多晶硅。

12.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K介电材料，所述栅电极作为多晶硅伪栅极。

13.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅极结构，所述栅极结构包括位于半导体衬底上的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极；

位于栅极结构周围半导体衬底上的第一侧墙、位于所述第一侧墙周围的第二侧墙；

位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的∑形凹槽；

位于所述∑形凹槽内的第一应力衬垫层，所述第一应力衬垫层的表面与半导体衬底表面持平；

第二应力衬垫层，所述第二应力衬垫层位于所述第二侧墙两侧且位于第一应力衬垫层上，其中，所述第二应力衬垫层的厚度小于等于所述第二侧墙的高度。

14.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述第二侧墙为单层侧墙或多层侧墙。

15.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，所述单层侧墙或多层侧墙的每一层材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

16.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为低K介电材料，所述栅电极的材料为多晶硅。

17.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K介电材料，所述栅电极的材料为金属。

18.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层的材料均为锗硅材料。

19.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为NMOS晶体管，所述第一应力衬垫层和第二应力衬垫层的材料均为碳化硅材料。