[发明专利]半导体基板、电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210374598.1 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021964A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 关根重信;关根由莉奈 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吴倩;张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅基板、半导体电路元件或绝缘层中不产生裂纹的高可靠度的半导体基板、电子器件及其制造方法。绝缘层（3）是由二氧化硅微粒（311）和浸渗在二氧化硅微粒（311）-（311）间产生的间隙内并将该间隙填埋的纳米晶体或纳米非晶形的二氧化硅（320）构成的纳米复合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有纵向导体和绝缘层的半导体基板，其中，所述纵向导体含有纳米复合晶体结构的金属/合金成分，且被填充在设于所述半导体基板的厚度方向的纵孔内；所述绝缘层在所述纵向导体周围形成为环状，且含有纳米尺寸的二氧化硅微粒和纳米晶体或纳米非晶形的二氧化硅，所述纳米晶体或纳米非晶形的二氧化硅填埋所述二氧化硅微粒间的间隙，并与所述二氧化硅微粒一同构成纳米复合结构。
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