[发明专利]一种通孔图形的形成方法

摘要

本发明提供一种通孔图形的形成方法。本发明方法包括，在衬底上依次沉积介质层、第一和第二硬掩膜层；涂布第一光阻膜，通过曝光和刻蚀工艺，用网格状第一通孔子图形图案化第二硬掩膜层；去除第一光阻膜；再次涂布第二光阻膜，光刻后，用网格状第二通孔子图形图案化第二光阻膜；通过刻蚀工艺，用第一通孔子图形和第二通孔子图形叠加图形来图案化第一硬掩膜层和介质层；最后去除第二光阻膜和第二硬掩膜层。因此，通过本发明方法，不仅达到了单次曝光图案化所不能获得的光刻极限，降低了光刻工艺的难度，有效提高了分辨率，还能够简化工艺，提高生产效率，节约成本。

主权项

一种通孔图形的形成方法，其特征在于,所述方法包括如下步骤：步骤S01: 在半导体衬底上沉积介质材料形成介质层，并在所述介质层上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层的材料不同于所述第二硬掩膜层的材料；步骤S02：在所述第二硬掩膜层上涂布第一光阻膜层，光刻所述第一光阻膜层以形成具有第一通孔子图形的第一光阻膜层；其中，所述第一通孔子图形为网格状图形；步骤S03：通过刻蚀工艺，用所述第一通孔子图形图案化所述第二硬掩膜层；步骤S04：去除所述的第一光阻膜层；步骤S05：在经上述步骤形成的结构表面涂布第二光阻膜层，光刻所述第二光阻膜层以形成具有第二通孔子图形的第二光阻膜层；其中，所述第二通孔子图形为网格状图形；步骤S06: 通过刻蚀工艺，用所述第一通孔子图形和第二通孔子图形的叠加图形图案化所述第一硬掩膜层和介质层，在所述的介质层中形成通孔图形；步骤S07: 去除所述第二光阻膜层和第二硬掩膜层。