[发明专利]一种通孔图形的形成方法在审
| 申请号： | 201210369951.7 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102881566A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图形 形成 方法 | ||
1.一种通孔图形的形成方法，其特征在于,所述方法包括如下步骤：
步骤S01: 在半导体衬底上沉积介质材料形成介质层，并在所述介质层上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层的材料不同于所述第二硬掩膜层的材料；
步骤S02：在所述第二硬掩膜层上涂布第一光阻膜层，光刻所述第一光阻膜层以形成具有第一通孔子图形的第一光阻膜层；其中，所述第一通孔子图形为网格状图形；
步骤S03：通过刻蚀工艺，用所述第一通孔子图形图案化所述第二硬掩膜层；
步骤S04：去除所述的第一光阻膜层；
步骤S05：在经上述步骤形成的结构表面涂布第二光阻膜层，光刻所述第二光阻膜层以形成具有第二通孔子图形的第二光阻膜层；其中，所述第二通孔子图形为网格状图形；
步骤S06: 通过刻蚀工艺，用所述第一通孔子图形和第二通孔子图形的叠加图形图案化所述第一硬掩膜层和介质层，在所述的介质层中形成通孔图形；
步骤S07: 去除所述第二光阻膜层和第二硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一通孔子图形和第二通孔子图形均为正方形网格状图形。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子图形中的通孔线宽为所述介质层中通孔图形的通孔线宽的2倍以上。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子图形中的通孔线宽为所述介质层中通孔图形的通孔线宽的3倍。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子图形中的图形间距为所述介质层中通孔图形的图形间距的1.5倍以上。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子图形中的图形间距为所述介质层中通孔图形的图形间距的2倍。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一通孔子图形与所述第二通孔子图形叠加图形为刻蚀通孔图案所用图形。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅层、低K介质层或超低K介电材料层。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述低K介质层的材料为氟掺杂硅酸盐玻璃。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S02中在所述第二硬掩膜层和第一光阻膜之间，还涂布一层底部抗反射膜层；所述步骤S05中，在所述第一硬掩膜层和第二光阻膜之间还涂布一层底部抗反射膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
