[发明专利]半导体存储装置以及半导体存储元件

摘要

本发明提供一种非易失性半导体装置，该半导体装置不使元件的面积增大且即便不对控制栅电压进行控制也能以低电压大幅地增加写入量，另外，还能稳定地进行充分的写入。本发明的半导体存储元件，通过漏极雪崩热电子来进行写入，是一种MOS晶体管，其具有形成在第一导电型的半导体衬底上的第二导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上隔着绝缘膜而设置的浮动栅；形成在上述浮动栅下部的上述第一半导体层的表面的沟道区域；以及，以与上述沟道区域接触的方式设置在上述第一半导体层上的第一导电型的源区域及漏区域，上述沟道区域具有两种以上的载流子浓度分布。

主权项

一种半导体存储元件，具有通过漏极雪崩热电子来进行写入的MOS晶体管，包括：半导体衬底；N型第一半导体层，形成于所述半导体衬底；浮动栅，隔着第一绝缘膜设置在所述第一半导体层上；沟道区域，形成在所述浮动栅下部的所述第一半导体层的表面；以及P型源区域及漏区域，以与所述沟道区域接触的方式设置在所述第一半导体层上，所述半导体存储元件特征在于，所述沟道区域由沿着连结所述源区域以及所述漏区域的方向平行配置的、从所述浮动栅来看具有不同的阈值的两个以上的部分构成，所述两个以上的部分的任一方分别与所述P型源区域及漏区域接触，在写入动作中，该两个以上的部分在不同的偏置条件下在所述漏区域的附近产生热电子。