[发明专利]高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 201210367105.1 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035705A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 金峻渊;李在垣;崔孝枝 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT），包括：基板；HEMT叠层，与基板间隔开；以及虚设绝缘层（PIL），设置在基板与HEMT叠层之间。PIL层包括具有不同相的至少两种材料。PIL层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管叠层，与所述基板间隔开；以及虚设绝缘层，在所述基板与所述高电子迁移率晶体管叠层之间，所述虚设绝缘层包括具有不同相的至少两种材料，并且所述虚设绝缘层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210367105.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动终端自适应隐私保护方法及装置
- 下一篇：一种计算机病毒的监控方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
