[发明专利]一种快恢复二极管的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201210363887.1 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103681877A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;周雪飞;肖秀光;曹群 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/45;H01L21/329;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复二极管的结构及其制造方法，该快恢复二极管的结构包括：阴极金属层;形成在阴极金属层上的阴极区,阴极区具有第一导电类型；形成在阴极区上的漂移区，漂移区具有第一导电类型；形成在漂移区上的阳极区，阳极区具有第二导电类型，阳极区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度且低于阴极区的掺杂浓度；形成在阳极区上的导电层；和形成在导电层上的阳极金属层。通过形成低浓度的阳极区，显著减少注入到漂移区的过剩载流子浓度，降低快恢复二极管关断时间。并且，通过在阳极区和阳极金属层之间引入导电层，以改善阳极区和阳极金属层之间的欧姆接触，避免VF升高，改善快恢复二极管的静态和动态损耗，使更适合于高温条件和并联使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管的结构，包括：阴极金属层;形成在所述阴极金属层上的阴极区,所述阴极区具有第一导电类型；形成在所述阴极区上的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；形成在所述漂移区上的阳极区，所述阳极区具有第二导电类型，所述阳极区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度且低于所述阴极区的掺杂浓度；形成在所述阳极区上的导电层；和形成在所述导电层上的阳极金属层。
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