[发明专利]一种快恢复二极管的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管的结构，包括：

阴极金属层;

形成在所述阴极金属层上的阴极区,所述阴极区具有第一导电类型；

形成在所述阴极区上的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；

形成在所述漂移区上的阳极区，所述阳极区具有第二导电类型，所述阳极区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度且低于所述阴极区的掺杂浓度；

形成在所述阳极区上的导电层；和

形成在所述导电层上的阳极金属层。

2.如权利要求1所述的快恢复二极管的结构，其中，所述阴极区为重掺杂，所述漂移区为轻掺杂。

3.如权利要求1所述的快恢复二极管的结构，其中，所述导电层的材料包括多晶硅、非晶硅。

4.如权利要求1所述的快恢复二极管的结构，其中，所述阳极区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高一至两个数量级。

5.如权利要求1所述的快恢复二极管的结构，其中，所述导电层的厚度范围为0.01μm-0.2μm。

6.一种快恢复二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底为阴极区且具有第一导电类型；

在所述半导体衬底的第一表面形成外延层，所述外延层具有第一导电类型；

对所述外延层进行第二导电类型掺杂以在所述外延层的上部分形成阳极区，所述外延层的下部分为漂移区，所述阳极区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度且低于所述阴极区的掺杂浓度；

在所述阳极区上形成导电层；

在所述导电层上形成阳极金属层；和

在所述半导体衬底的第二表面形成阴极金属层。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述阴极区为重掺杂，所述漂移区为轻掺杂。

8.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述导电层的材料包括多晶硅、非晶硅。

9.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述阳极区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高一至两个数量级。

10.如权利要求6所述的制造方法，其中，所述导电层的厚度范围为0.01μm-0.2μm。