[发明专利]浮栅闪存器件及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种浮栅闪存器件及其制备方法。该浮栅闪存器件包括衬底和在所述衬底上层叠设置的隧穿氧化层、浮栅、阻挡绝缘层、控制栅，所述衬底上设置有源漏电极区，所述隧穿氧化层位于所述衬底之上；所述浮栅位于所述隧穿氧化层之上；所述阻挡绝缘层位于所述浮栅之上；所述控制栅位于所述阻挡绝缘层之上，其中，所述浮栅内设置有至少一层阻挡层。本发明实施例提供的浮栅闪存器件及其制备方法，通过在浮栅上设置阻挡层，对电子形成阻挡，减少了电子穿通浮栅的情况的发生，从而改善了闪存器件的编程效率，提高了闪存器件的存储可靠性。

主权项

一种浮栅闪存器件，其特征在于，包括衬底和在所述衬底上层叠设置的隧穿氧化层、浮栅、阻挡绝缘层、控制栅，所述衬底上设置有源漏电极区，所述隧穿氧化层位于所述衬底之上；所述浮栅位于所述隧穿氧化层之上；所述阻挡绝缘层位于所述浮栅之上；所述控制栅位于所述阻挡绝缘层之上，其中，所述浮栅内设置有至少一层阻挡层。