[发明专利]浮栅闪存器件及其制备方法

权利要求书

1.一种浮栅闪存器件，其特征在于，包括衬底和在所述衬底上层叠设置的隧穿氧化层、浮栅、阻挡绝缘层、控制栅，所述衬底上设置有源漏电极区，所述隧穿氧化层位于所述衬底之上；所述浮栅位于所述隧穿氧化层之上；所述阻挡绝缘层位于所述浮栅之上；所述控制栅位于所述阻挡绝缘层之上，其中，所述浮栅内设置有至少一层阻挡层。

2.如权利要求1所述的浮栅闪存器件，其特征在于，所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述阻挡层位于所述第一浮栅之上，所述第二浮栅位于所述阻挡层之上。

3.如权利要求1所述的浮栅闪存器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为1nm到5nm。

4.如权利要求1所述的浮栅闪存器件，其特征在于，形成所述阻挡层的材料为下列之一：

SiO₂、Al₂O₃、TiN。

5.一种浮栅闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底之上开出浮栅区域窗口；

在所述浮栅区域窗口上方形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层之上形成浮栅，其中，在所述浮栅内形成有至少一层阻挡层；

在所述浮栅之上形成阻挡绝缘层；

在所述阻挡绝缘层之上形成控制栅。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层之上形成浮栅，包括：

在所述隧穿氧化层上形成第一浮栅；

在所述第一浮栅之上形成阻挡层；

在所述阻挡层之上形成第二浮栅；

所述在所述浮栅之上形成阻挡绝缘层，包括：

在所述第二浮栅之上形成所述阻挡绝缘层。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述阻挡层的方法包括热氧化或淀积的方法。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为1nm到5nm。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述阻挡层的材料为下列之一：SiO₂、Al₂O₃、TiN。