[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括：S1、在绝缘透明的基板上形成包括像素电极、电容电极和有源层的图形；S2、在步骤S1的基板上形成第一绝缘层、栅极、栅线和公共电极的图形，公共电极与电容电极形成存储电容；S3、在步骤S2的基板上形成第二绝缘层，在源漏区域及像素电极区域形成穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔，并保留在形成第二绝缘层上除源漏区域及数据线区域外的光刻胶；S4、在步骤S3的基板上沉积SD金属，通过光刻胶剥离的方式形成源极、漏极及数据线；S5、在步骤S4的基板上形成钝化层图形。还公开了一种阵列基板和显示装置，本发明的方法减少了阵列基板制作工艺中ma sk的次数，提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在绝缘透明的基板上形成包括像素电极、第三绝缘层和有源层的图形；所述像素电极与所述有源层位于所述第三绝缘层的不同侧；S2：在所述步骤S1形成的基板上形成第一绝缘层、栅极和栅线的图形；S3：在所述步骤S2形成的基板上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上涂覆光刻胶，且在需要形成的源极和漏极区域形成穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔和第二过孔，及像素电极区域形成使像素电极与需要形成的所述漏极连接的第三过孔，去除需要形成的源极和漏极区域，及数据线区域的光刻胶，保留除需要形成的源极和漏极区域，及数据线区域外的光刻胶；S4：在所述步骤S3形成的基板上沉积源极、漏极金属薄膜，通过光刻胶剥离的方式形成源极、漏极及数据线的图形。