[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

现有的阵列基板的制作方法通常包括5次ma sk（光刻胶的曝光显影）工序。尤其是以低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon， LTPS）为有源层的阵列基板的制作方法更为复杂，一般需要7~9次曝光工艺。但基于LTPS技术具有高迁移率，可以把周边驱动整合到玻璃基板上，降低周边成本，减少不良，同时，能很好的提高TFT的性能，大大改善器件性能等优点，现在已越来越多的被应用。因此对包含LTPS半导体层的阵列基板复杂的制备工艺进行改进和改善，降低生产成本，提高产品竞争力，变得尤为重要。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：如何减少阵列基板制作工艺中的掩膜步骤，以提高生产效率、降低成本。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括若干栅线、数据线、像素电极、第三绝缘层、有源层，第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极，还包括：在源极、漏极区域中穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔、穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第二过孔，及在像素电极区域连接所述漏极和像素电极的第三过孔，所述源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接所述有源层。

其中，还包括：与所述像素电极位于同一层的电容电极，及在所述电容电极上方位于所述第一绝缘层之上的公共电极，所述电容电极和公共电极形成存储电容。

其中，还包括位于所述源极和漏极上方的第四绝缘层。

其中，所述有源层为低温多晶硅构成。

本发明还提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤：

S1：在绝缘透明的基板上形成包括像素电极、第三绝缘层和有源层的图形；

S2：在所述步骤S1形成的基板上形成第一绝缘层、栅极和栅线的图形；

S3：在所述步骤S2形成的基板上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上涂覆光刻胶，且在需要形成的源极和漏极区域形成穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔和第二过孔，及像素电极区域形成使像素电极与需要形成的所述漏极连接的第三过孔，去除需要形成的源极和漏极区域，及数据线区域的光刻胶，保留除需要形成的源极和漏极区域，及数据线区域外的光刻胶；

S4：在所述步骤S3形成的基板上沉积源极、漏极金属薄膜，通过光刻胶剥离的方式形成源极、漏极及数据线的图形。

其中，所述方法还包括：

S5：在所述步骤S4形成的基板上形成第四绝缘层。

其中，所述步骤S1具体包括：

S1.1：在所述绝缘透明的基板上依次沉积透明导电薄膜、第三绝缘薄膜和半导体薄膜，并在半导体薄膜上涂覆光刻胶；

S1.2：通过进行曝光显影处理，使得需要形成的有源层区域的光刻胶全部保留，使得需要形成的像素电极区域的光刻胶部分保留，其余区域无光刻胶；

S1.3：刻蚀掉无光刻胶区域的透明导电薄膜、第三绝缘薄膜和半导体薄膜；

S1.4：去除像素电极区域保留的部分光刻胶，保留有源层区域的光刻胶；

S1.5：刻蚀掉暴露出的像素电极区域的半导体薄膜，并去掉剩余的光刻胶。

其中，所述步骤S1.5为：

S1.5＇：刻蚀掉暴露出的像素电极区域的半导体薄膜和第三绝缘薄膜，并去掉剩余的光刻胶。

其中，所述步骤S2具体包括：

S2.1：在所述步骤S1形成的基板上依次沉积第一绝缘薄膜和栅金属薄膜，并在栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

S2.2：通过曝光显影，保留栅极区域及栅线区域的光刻胶，

S2.3：刻蚀暴露出的栅金属薄膜，去掉保留的光刻胶，以形成第一绝缘层、栅极和栅线图形。

其中，所述步骤S3具体包括：

S3.1：在所述步骤S2形成的基板上形成第二绝缘薄膜，并在第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

S3.2：通过曝光显影处理，使第二绝缘薄膜上位于像素电极与需要形成的漏极连接的区域及需要形成的源极、漏极区域中的源极、漏极分别与所述有源层连接的区域的光刻胶完全去除，源极、漏极区域中其它区域及数据线区域具有第一厚度的第一光刻胶，第二绝缘薄膜上除上述区域的其它区域具有第二厚度的第二光刻胶，所述第一厚度小于第二厚度；

S3.3：刻蚀需要形成的源极、漏极区域中的源极、漏极分别与所述有源层连接区域以形成第一过孔和第二过孔，及刻蚀像素电极与漏极连接的区域以形成第三过孔；

S3.4：去除第一光刻胶，保留第二光刻胶。