[发明专利]隧穿场效应晶体管无效
| 申请号： | 201210330687.6 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102832256A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;刘晓彦;康晋锋;杜刚;王漪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述源区与沟道区的接触区域为非本征材料，且不同于源区的掺杂类型。本发明通过在源区和沟道区接触处进行不同于源区的掺杂，使器件在开态时具有较窄的源端到沟道的隧穿层厚度，从而提高开态电流。由于该方法并未改变关态时源端到漏端的隧穿层厚度，所以可以保持较低的关态电流，因此，利用该方法可以得到更高的开关比和较低的亚阈值斜率，从而可以得到较好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述源区与沟道区的接触区域为非本征材料，且不同于源区的掺杂类型。
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