[发明专利]微波处理装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201210330294.5 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000554A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 芦田光利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种微波处理装置及其控制方法，能够使多个微波源与处理容器之间的阻抗匹配的精度提高。微波处理装置（1）具备：收容晶片（W）的处理容器（2）；生成用于处理晶片（W）的微波并导入到处理容器（2）的微波导入装置（3）；和控制微波导入装置（3）的控制部（8）。微波导入装置（3）具有：生成微波的多个磁控管（31）；和将在多个磁控管（31）中生成的微波传送到处理容器（2）的多个波导管（32），多个微波能够同时被导入处理容器（2）。控制部（8）在将多个微波同时导入处理容器（2）的第一状态继续的期间，有选择地且暂时地切换为在多个磁控管（31）中的1个中生成微波，仅将该微波导入处理容器（2）的第二状态。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 处理 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种微波处理装置，其特征在于，包括：收容被处理体的处理容器；生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器的微波导入装置；和控制所述微波导入装置的控制部，所述微波导入装置具有：生成所述微波的多个微波源；和将在所述多个微波源中生成的所述微波传送到所述处理容器的多个传送通路，能够将多个所述微波同时导入所述处理容器，所述控制部，在将多个所述微波同时导入所述处理容器的第一状态继续的期间，有选择地且暂时地切换为在所述多个微波源中的一个微波源中生成所述微波，仅将该微波导入所述处理容器的第二状态。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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