[发明专利]一种高瞬发半导体桥发火组件有效
| 申请号： | 201210328705.7 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103673792A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 任慧;穆慧娜;焦清介;周庆;李含建 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | F42C11/02 | 分类号： | F42C11/02 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 郭韫 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高瞬发半导体桥发火组件，属于半导体桥发火装置领域。所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元；所述管壳(7)为套筒结构，其一端为开口端，另一端为封闭端，在封闭端上开有轴向通孔；所述换能元包括陶瓷电极塞(11)，在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片；所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4)，电桥(1)和铝电极(6)；所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上；所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3)，两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高瞬发 半导体 发火 组件 | ||
【主权项】：
一种高瞬发半导体桥发火组件，其特征在于：所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元；所述管壳(7)为套筒结构，其一端为开口端，另一端为封闭端，在封闭端上开有轴向通孔；所述换能元包括陶瓷电极塞(11)，在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片；所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4)，电桥(1)和铝电极(6)；所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上；所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3)，两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接；所述装药包括两层装药，分别为第一层装药(9)和第二层装药(8)；所述第二层装药(8)与管壳(7)的封闭端接触，第二层装药(8)覆盖在第一层装药(9)上，第一层装药(9)覆盖在电桥(1)的上表面上。
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