[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，采用相邻栅极结构间为U形凹槽，栅极结构和STI间为∑形凹槽的结构，从而在形成硅锗层后，有效的减轻STI拉应力的影响，从而保证了整体的沟道迁移率的一致性和饱和速度的一致性，相比现有工艺，大大的提高了器件的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底中形成多个浅沟道隔离，所述浅沟道隔离两侧为N阱和P阱，在所述N阱上形成多个栅极结构；在相邻栅极结构之间的N阱中形成第一凹槽，包括形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述衬底及多个栅极结构；去除位于相邻栅极结构间的衬底上的第一掩膜层，暴露出衬底的第一部分；刻蚀所述衬底的第一部分形成多个第一凹槽；在所述浅沟道隔离和栅极结构之间的N阱中形成过渡凹槽，包括去除剩余的第一掩膜层，并形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述衬底、多个栅极结构及第一凹槽；去除位于浅沟道隔离和栅极结构之间的第二掩膜层，暴露出衬底的第二部分；刻蚀所述衬底的第二部分形成过渡凹槽；刻蚀所述过渡凹槽形成第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽内形成硅锗层；其中，所述第一凹槽为U形凹槽，所述第二凹槽为Σ形凹槽。