[发明专利]一种具有ESD保护功能的LIGBT器件

摘要

一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在不增加掩膜板和工艺步骤的前提下，通过器件结构和版图优化，提供一种具有ESD保护功能的LIGBT器件。本发明与传统的IGBT器件的不同之处在于本发明不仅在阳极终结端（沟道宽度方向）设置了结终端N+掺杂的N阱接触区（14），并且在P+掺杂的阳极区（9）周围设置了N+掺杂的N阱接触区（8）这种器件结构及版图优化减小了N型缓冲区的寄生电阻，器件寄生PNP管的开启电压有所增加，失效电流较传统IGBT器件单元有20%的显著提高。

主权项

一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，包括N‑漂移区（1），分别位于N‑漂移区（1）顶部两侧的P型阱区（3）和N型阱区（7）；所述P型阱区（3）中设置得有一个N+掺杂的阴极区（4）和一个P+掺杂的P阱接触区（5），所述N+掺杂源区（4）与P+掺杂的P阱接触区（5）彼此接触或相互隔离；所述N型阱区（7）中设置得有P+掺杂的阳极区（9）和与P+掺杂的阳极区（9）接触的N+掺杂的N阱接触区（8），并在整个器件结终端的N型阱区（7）中设置得有结终端N+掺杂的N阱接触区（14）；N‑漂移区（1）中靠近P型阱区（3）且远离N型阱区（7）的地方设置有隔离区（2），用于LIGBT器件与其他器件之间的相互隔离；器件的栅氧化层（6）覆盖P阱接触区（5）与N‑漂移区（1）相交区域的表面；器件表层除P型阱区（3）、N型阱区（7）中的P+掺杂的阳极区（9）和N+掺杂的N阱接触区（8）以及结终端N+掺杂的N阱接触区（14）以外的区域覆盖场氧化层（11）；多晶硅区（10）覆盖在栅氧化层（6）以及部分与栅氧化层连接的场氧化层（11）表面，用作多晶硅栅电极和栅极场板；阴极金属连线（12）将P+掺杂的P阱接触区（5）、N+掺杂的阴极区（4）和多晶硅区（10）短接并形成阴极电极引线；阳极金属连线（13）将P+掺杂的阳极区（9）和结终端N+掺杂的N阱接触区（14）短接，并形成阳极电极引线。