[发明专利]一种具有ESD保护功能的LIGBT器件

权利要求书

1.一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，包括N-漂移区（1），分别位于N-漂移区（1）顶部两侧的P型阱区（3）和N型阱区（7）；所述P型阱区（3）中设置得有一个N+掺杂的阴极区（4）和一个P+掺杂的P阱接触区（5），所述N+掺杂源区（4）与P+掺杂的P阱接触区（5）彼此接触或相互隔离；所述N型阱区（7）中设置得有P+掺杂的阳极区（9）和与P+掺杂的阳极区（9）接触的N+掺杂的N阱接触区（8），并在整个器件结终端的N型阱区（7）中设置得有结终端N+掺杂的N阱接触区（14）；N-漂移区（1）中靠近P型阱区（3）且远离N型阱区（7）的地方设置有隔离区（2），用于LIGBT器件与其他器件之间的相互隔离；器件的栅氧化层（6）覆盖P阱接触区（5）与N-漂移区（1）相交区域的表面；器件表层除P型阱区（3）、N型阱区（7）中的P+掺杂的阳极区（9）和N+掺杂的N阱接触区（8）以及结终端N+掺杂的N阱接触区（14）以外的区域覆盖场氧化层（11）；多晶硅区（10）覆盖在栅氧化层（6）以及部分与栅氧化层连接的场氧化层（11）表面，用作多晶硅栅电极和栅极场板；阴极金属连线（12）将P+掺杂的P阱接触区（5）、N+掺杂的阴极区（4）和多晶硅区（10）短接并形成阴极电极引线；阳极金属连线（13）将P+掺杂的阳极区（9）和结终端N+掺杂的N阱接触区（14）短接，并形成阳极电极引线。

2.根据权利要求1所述的具有ESD保护功能的LIGBT器件，其特征在于，所述N-漂移区（1）采用低掺杂浓度的N型衬底直接形成，或采用N型外延或N型低掺杂阱形成。

3.根据权利要求1所述的具有ESD保护功能的LIGBT器件，其特征在于，所述隔离区（2）采用浅槽隔离、深槽隔离、STI隔离或LOCOS隔离等方式实现。

4.根据权利要求1所述的具有ESD保护功能的LIGBT器件，其特征在于，所述结终端N+掺杂的N阱接触区（14）的形状为半圆形、椭圆形或方形。

5.根据权利要求1所述的具有ESD保护功能的LIGBT器件，其特征在于，所述N+掺杂的N阱接触区（8）位于P+掺杂的阳极区（9）两侧，所述N+掺杂的N阱接触区（8）不设置接触孔。

6.根据权利要求1所述的具有ESD保护功能的LIGBT器件，其特征在于，所述P+掺杂的阳极区（9）与所述N+掺杂的N阱接触区（8）并排相间分布，所述N+掺杂的N阱接触区（8）不设置接触孔。