[发明专利]降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备有效

专利信息
申请号: 201210303978.6 申请日: 2012-08-23
公开(公告)号: CN102854759B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 胡林;王彩虹;陈蕾;鲍晔;周孟兴 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/26 分类号: G03F7/26;G03F1/72;H01L21/312;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,包括判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作。利用本申请所提供的方法,可以避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气,对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响,进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行,所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中,出现光刻胶残留互联的现象,影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。
搜索关键词: 降低 光刻 图形 缺陷 方法 形成 设备
【主权项】:
一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,其特征在于,所述方法适用于第二光刻胶运行过程中产生的废气对第一光刻胶的运行产生影响的情形,所述方法包括:判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作,包括:当所统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶;当所统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。
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