[发明专利]降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备有效
申请号: | 201210303978.6 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102854759B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 胡林;王彩虹;陈蕾;鲍晔;周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/26 | 分类号: | G03F7/26;G03F1/72;H01L21/312;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,包括判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作。利用本申请所提供的方法,可以避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气,对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响,进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行,所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中,出现光刻胶残留互联的现象,影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。 | ||
搜索关键词: | 降低 光刻 图形 缺陷 方法 形成 设备 | ||
【主权项】:
一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,其特征在于,所述方法适用于第二光刻胶运行过程中产生的废气对第一光刻胶的运行产生影响的情形,所述方法包括:判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作,包括:当所统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶;当所统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210303978.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种生物法提取虎杖白藜芦醇的方法
- 下一篇:一种雪松快速育苗的方法