[发明专利]降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备有效

专利信息
申请号: 201210303978.6 申请日: 2012-08-23
公开(公告)号: CN102854759B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 胡林;王彩虹;陈蕾;鲍晔;周孟兴 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/26 分类号: G03F7/26;G03F1/72;H01L21/312;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 降低 光刻 图形 缺陷 方法 形成 设备
【权利要求书】:

1.一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,其特征在于,包括:

判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;

统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;

根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一光刻胶的材料对氨敏感。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶包括:

判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶;

判断所述第一光刻胶运行之前,运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶还包括:

判断开始运行所述第一光刻胶之前,刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作包括:

当所统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶;

当所统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。

7.如权利要求1-6任一项所述的方法,其特征在于,所述停止运行所述第一光刻胶后还包括:

清除所述涂胶/显影机内,第二光刻胶运行过程中产生的废气。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述清除所述涂胶/显影机内,所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为:

运行第三光刻胶,且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24;

其中,所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。

9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述清除所述涂胶/显影机内,所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为:

在没有光刻胶运行的前提下,处理不小于24个的伪晶圆。

10.一种形成光刻胶图形的设备,其特征在于,包括涂胶/显影机和自动控制装置;其中,所述自动控制装置包括:

判断单元:用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;

统计单元:用于统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机内处理过的晶圆数量;

控制单元:用于根据所述统计单元统计的数量,控制所述涂胶/显影机的工作。

11.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述第一光刻胶的材料对氨敏感。

12.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。

13.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述判断单元包括:

第一判断单元:用于判断即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶;

第二判断单元:用于判断所述第一光刻胶运行之间,运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。

14.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述判断单元还包括:

第三判断单元:用于判断开始运行所述第一光刻胶之前,刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。

15.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述控制单元包括:

第一控制单元:用于当所述统计单元中统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行第一光刻胶;

第二控制单元,用于当所述统计单元中统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行第一光刻胶。

16.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述控制单元还包括:

第三控制单元:用于停止运行所述第一光刻胶后,控制所述涂胶/显影机,清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210303978.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top