[发明专利]降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备有效
申请号: | 201210303978.6 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102854759B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 胡林;王彩虹;陈蕾;鲍晔;周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/26 | 分类号: | G03F7/26;G03F1/72;H01L21/312;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 光刻 图形 缺陷 方法 形成 设备 | ||
1.一种降低光刻胶图形缺陷的方法,应用于涂胶/显影机,其特征在于,包括:
判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;
统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量;
根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶包括:
判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶;
判断所述第一光刻胶运行之前,运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶还包括:
判断开始运行所述第一光刻胶之前,刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所统计的处理过的晶圆数量,控制所述涂胶/显影机的工作包括:
当所统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶;
当所统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。
7.如权利要求1-6任一项所述的方法,其特征在于,所述停止运行所述第一光刻胶后还包括:
清除所述涂胶/显影机内,第二光刻胶运行过程中产生的废气。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述清除所述涂胶/显影机内,所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为:
运行第三光刻胶,且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24;
其中,所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。
9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述清除所述涂胶/显影机内,所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为:
在没有光刻胶运行的前提下,处理不小于24个的伪晶圆。
10.一种形成光刻胶图形的设备,其特征在于,包括涂胶/显影机和自动控制装置;其中,所述自动控制装置包括:
判断单元:用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前,是否运行过第二光刻胶;
统计单元:用于统计所述第二光刻胶结束运行后,所述第一光刻胶开始运行前,所述涂胶/显影机内处理过的晶圆数量;
控制单元:用于根据所述统计单元统计的数量,控制所述涂胶/显影机的工作。
11.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述第一光刻胶的材料对氨敏感。
12.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。
13.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述判断单元包括:
第一判断单元:用于判断即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶;
第二判断单元:用于判断所述第一光刻胶运行之间,运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。
14.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述判断单元还包括:
第三判断单元:用于判断开始运行所述第一光刻胶之前,刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。
15.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述控制单元包括:
第一控制单元:用于当所述统计单元中统计的数量小于24时,控制所述涂胶/显影机停止运行第一光刻胶;
第二控制单元,用于当所述统计单元中统计的数量不小于24时,控制所述涂胶/显影机继续运行第一光刻胶。
16.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述控制单元还包括:
第三控制单元:用于停止运行所述第一光刻胶后,控制所述涂胶/显影机,清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。
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