[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210284418.0 | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN102956691A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 吴泰英;赵兴烈;郑至恩 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;孙海龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法和液晶显示装置及其制造方法。公开了根据本发明实施方式的薄膜晶体管及其制造方法,以形成中间绝缘层,从而减小在栅极的后续工艺期间发生的失败。根据本发明的薄膜晶体管可包括:基板;栅极,形成在基板上;平整绝缘层,形成在栅极的侧面部分和基板的上部;栅绝缘层,形成在包含栅极的上部的平整绝缘层上;有源层,形成在位于栅极的上面的平整绝缘层的上部;以及源极和漏极,形成在有源层上,并基于沟道区彼此分开。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极,形成在基板上;平整绝缘层,形成在所述栅极的侧面部分和所述基板的上部;栅绝缘层,形成在包含所述栅极的上部的所述平整绝缘层上;有源层,形成在位于所述栅极的上侧的所述平整绝缘层的上部;以及源极和漏极,形成在所述有源层上,并基于沟道区彼此分开。
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