[发明专利]磁传感器芯片、磁传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210283527.0 申请日: 2012-08-10
公开(公告)号: CN103575302B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 时启猛;彭春雷;曲炳郡 申请(专利权)人: 北京嘉岳同乐极电子有限公司
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种磁传感器芯片、磁传感器及其制作方法,该磁传感器芯片包括至少一对相互独立的磁敏感薄膜,在磁敏感薄膜的端部设有用于电连接磁敏感薄膜的第一电极,在每一对磁敏感薄膜中,至少一个磁敏感薄膜通过所在端的第一电极与一可调电阻电连接,磁敏感薄膜、第一电极和可调电阻电连接构成惠斯通电桥电路,可调电阻用于调节可调电阻所在惠斯通电桥电路的支路的总电阻,每对磁敏感薄膜的内侧和/或外侧均设有导线束,而且导线束与磁敏感薄膜相互绝缘,用于电连接导线束的n对第二电极设置在导线束的外侧,导线束至少有一端直接接地或间接接地,其中,n为≥2的整数。该磁传感器芯片减小了磁滞现象,并提高了温漂特性和灵敏度。
搜索关键词: 传感器 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
一种磁传感器芯片,包括至少一对相互独立的磁敏感薄膜,在所述磁敏感薄膜的端部设有用于电连接所述磁敏感薄膜的第一电极,其特征在于,在每一对所述磁敏感薄膜中,至少一个所述磁敏感薄膜通过所在端的第一电极与一可调电阻电连接,所述磁敏感薄膜、所述第一电极和所述可调电阻电连接构成惠斯通电桥电路,所述可调电阻用于调节所述可调电阻所在惠斯通电桥电路的支路的总电阻,以使得惠斯通电桥电路中对臂电阻相互平衡,每对所述磁敏感薄膜的内侧和/或外侧均设有导线束,而且所述导线束与所述磁敏感薄膜相互绝缘,用于电连接所述导线束的n对第二电极设置在所述导线束的外侧,所述导线束至少有一端直接接地或间接接地,其中,n为≥2的整数。
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