[发明专利]一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201210282401.1 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102809450A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 王凌云;杜晓辉;邱小椿;何杰;何广奇;李益盼;孙道恒 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10;G01L9/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法，涉及一种压力传感器。提供一种基于滑膜阻尼和双压力膜结构的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极，所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连，压力敏感层上部边框内设有两个压力膜并形成两个放置平行硅岛的空腔，硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连，两个空腔之间具有沟道，使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间，谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连，盖帽层下部边框内形成空腔，真空封装盖帽层上开有引线孔，引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 谐振 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅微谐振式压力传感器，其特征在于设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极，所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连，压力敏感层上部边框内设有2个压力膜并形成2个放置平行硅岛的空腔，硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连，2个空腔之间具有沟道，使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间，谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连，盖帽层下部边框内形成空腔，真空封装盖帽层上开有引线孔，引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
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