[发明专利]半导体发光结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210279540.9 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103579431A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张源孝;刘恒 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 开曼群岛大开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光结构制造方法，步骤包括：提供第一基板；于第一基板上形成磊晶层，磊晶层包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的第一发光层；分割磊晶层，而定义出第一磊晶结构及第二磊晶结构，并暴露出部分第一电性半导体层，其中第一电性半导体层的暴露部分上具有第一接触区，第二电性半导体层上具有第二接触区；以及形成导电支撑结构，覆盖第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光结构的制造方法，其步骤包括：提供一第一基板；于该第一基板上形成一磊晶层，其中该磊晶层包括一第一电性半导体层、一第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的一第一发光层；分割该磊晶层，而定义出一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，并暴露出部分该第一电性半导体层，其中该第一电性半导体层的暴露部分上具有一第一接触区，该第二电性半导体层上具有一第二接触区；以及形成一导电支撑结构，覆盖该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性耦合该第二磊晶结构。
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