[发明专利]发光元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210274343.8 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103579438A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴裕朝;刘艳;吴冠伟 | 申请（专利权）人： | 东莞市正光光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 | 代理人： | 方志炜 |
| 地址： | 广东省东莞市虎门*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件及其制作方法，该发光元件包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，还包括：第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在层叠方向上重叠和连接；以及第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在层叠方向上重叠和连接；其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。本发明有效降低了发光元件封装时发生短路和断路的几率，从而提高了发光元件的封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，包括沿层叠方向依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其特征在于，还包括：第一正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；第一负电极，位于所述第一导电型半导体层上；第二正电极，位于所述第一正电极的正面，至少部分与所述第一正电极在所述层叠方向上重叠和连接；以及第二负电极，位于所述第一负电极的正面，至少部分与所述第一负电极在所述层叠方向上重叠和连接；其中，所述正面是指在所述层叠方向上距离所述衬底更远的表面，并且所述第二负电极的正面面积大于所述第一负电极的正面面积。
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