[发明专利]防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法

摘要

本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。

主权项

一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上进行多晶硅淀积，所述多晶硅淀积分成连续两段，第一段多晶硅淀积用于形成栅极多晶硅的底层部分，所述底层部分的厚度为所述栅极多晶硅的厚度的2/3以上；第二段多晶硅淀积用于形成栅极多晶硅的顶层部分，由所述顶层部分和所述底层部分一起组成所述栅极多晶硅，所述第二段多晶硅淀积的工艺气体在所述第一段多晶硅淀积的工艺气体的基础上增加了氧气，利用氧气的通入，使所述栅极多晶硅的顶层部分形成的同时被部分氧化，并在所述栅极多晶硅的顶层部分中形成一氧化硅阻挡层；步骤二、形成所述栅极多晶硅之后，在所述栅极多晶硅中注入硼离子，使所述栅极多晶硅呈P型掺杂结构；步骤三、在所述栅极多晶硅的表面形成钨硅层，所述钨硅层和所述栅极多晶硅电学连接并组成所述PMOS器件的栅极，所述氧化硅阻挡层阻挡所述栅极多晶硅中的硼穿透到所述钨硅层中。