[发明专利]半导体发光结构有效
| 申请号： | 201210262163.8 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103489973A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 罗传煜 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光结构，包括一n型半导体层、一p型半导体层以及一有源层。有源层位于n型半导体层与p型半导体层之间，且有源层是由多数阱层以及多数势垒交错层叠而成为一多量子阱结构。靠近n型半导体层的此些阱层中至少包括一层第一厚度的第一阱层，且靠近p型半导体层的此些阱层中至少包括一层第二厚度的第二阱层，第一厚度大于第二厚度，使得有源层相对靠近n型半导体层的区域对电子的局限能力增加，以提高有源层的转换效率，且第一厚度与第二厚度之间具一厚度差△d1，且0nm＜△d1≦10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体发光结构，包括：n型半导体层；p型半导体层；以及有源层，位于该n型半导体层与该p型半导体层之间，且该有源层是由多个阱层以及多个势垒交错层叠而成为一多量子阱（Multi Quantum Well）结构；其中，靠近该n型半导体层的该些阱层中至少包括一层第一厚度的第一阱层，且靠近该p型半导体层的该些阱层中至少包括一层第二厚度的第二阱层，该第一厚度大于该第二厚度，使得该有源层相对靠近该n型半导体层的区域对电子的局限能力增加，以提高该有源层的转换效率，且该第一厚度与该第二厚度之间具一厚度差△d1，且0nm＜△d1≦10nm。
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