[发明专利]一种含金属背镀的半导体原件的切割方法有效
| 申请号： | 201210249443.5 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102751400A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 单立伟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B28D5/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含金属背镀的半导体原件的切割方法，属于半导体领域。首先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作金属背镀层，采用离焦式激光处理去除与各该半导体单元相应的金属层形成切割道，通过该切割道对半导体衬底进行隐形切割形成变质层，最后进行裂片以完成切割。本发明提供了一种将隐形切割技术应用于具有金属背镀的器件的切割方法，克服了传统切割工艺容易造成器件面积的损失或容易造成晶粒分裂的缺陷，并且提高了器件切割的良率。本发明工艺简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 原件 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种含金属背镀的半导体原件的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2）于所述半导体衬底的背表面制作包含有金属层的背镀层；3）对所述背镀层中的金属层进行激光处理，以在所述金属层中形成与各该半导体单元对应的切割道；4）通过所述切割道对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内部形成与所述切割道相对应的变质层结构；5）依据所述变质层结构对所述半导体原件进行裂片，以获得相互分离的多个半导体单元。
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