[发明专利]芯片、制造方法以及用于使碳层局部呈现传导性的方法无效
| 申请号： | 201210246826.7 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102881636A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 乌韦·霍克勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片、制造方法以及用于使碳层局部呈现传导性的方法。该芯片包括集成电路和碳层。碳层包括类石墨碳，其中，穿过类石墨碳的横向传导路径电气连接集成电路的两个电路元件。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 方法 以及 用于 使碳层 局部 呈现 传导性 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括：集成电路；以及碳层，其中，所述碳层包括类石墨碳，其中，穿过所述类石墨碳的横向传导路径电气连接所述集成电路的两个电路元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
