[发明专利]晶圆片激光加工方法有效
申请号: | 201210246763.5 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN103545253A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 高昆;叶树铃;邴虹;陈红;李瑜;庄昌辉;张红江;刘立文;欧明辉;迟彦龙;马国东;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/38;B28D5/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆片激光加工方法,其包括如下步骤:a)提供晶圆片;b)贴膜;c)由离所述晶圆片的外缘预定距离处沿所述晶圆片的切割道向内进行一轮激光切割;d)去膜;e)对去膜后的晶圆片进行蒸镀处理;f)贴膜;g)裂片;h)倒膜:i)扩膜;j)测试。在激光切割中,由离晶圆片的外缘预定距离处开始切割,使得由晶圆片的外缘至该预定距离处的部分不被切割,体上保证了晶圆片的可操作强度,也不易破裂,大大地增加了加工的良率,降低破片率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆片 激光 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆片激光加工方法,其包括如下步骤:a)提供晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面设置有切割道;b)于所述晶圆片背面贴膜;c)将贴膜的晶圆片定位于一激光切割设备中,所述激光切割设备发出的激光由离所述晶圆片的外缘预定距离处沿所述晶圆片的切割道向内进行一轮激光切割;d)切割完成后,去除所述晶圆片背面的贴膜;e)对去膜后的晶圆片进行蒸镀处理,以提高所述晶圆片的亮度;f)于所述晶圆片的背面贴膜;g)将贴膜后的晶圆片于一裂片机中进行裂片;h)倒膜,即于所述晶圆片的正面贴膜,然后去除所述晶圆片背面的贴膜;i)扩膜,即将所述晶圆片切割后所形成的晶粒的距离拉大;j)对各个晶粒进行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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