[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201210243985.1 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102779918A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 佐野雅彦;坂本贵彦;榎村 恵滋;家段胜好 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于包含：第1导电型半导体层；第2导电型半导体层；设置在所述第1导电型半导体层的第1电极；设置在所述第2导电型半导体层的第2电极；以及透光性绝缘膜，其以和所述第1电极或所述第2电极的至少一部分重叠的方式设置；所述第1电极或所述第2电极中至少一个包含从所述第1导电型半导体层侧或从所述第2导电型半导体层侧依序层叠的第1层以及第2层；所述第二层具有外部连接部以及从所述外部连接部延伸的电极延伸部；对所述半导体发光元件俯视观察下，所述透光性绝缘膜具有与所述第2层相类似的形状。
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