[发明专利]互补型金属氧化物半导体管的形成方法

摘要

一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，半导体衬底表面具有绝缘层，第一区域表面具有第一开口，第一开口底部具有第一高K介质层，第一高K介质层表面具有伪栅极层，第二区域表面具有第二开口，第二开口底部具有第二高K介质层；在第二开口侧壁及第二高K介质层表面形成第二功函数层；在第二功函数层表面形成第二栅电极层，第二栅电极层的材料为铜；之后去除第一开口内的伪栅极层；再在第一开口侧壁及第一高K介质层表面依次形成第一功函数层；在第一功函数层表面依次形成第一阻挡层和第一栅电极层，第一栅电极层的材料为铝。所形成的互补型金属氧化物半导体管性能稳定。

主权项

一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述第一区域表面具有贯穿所述绝缘层厚度的第一开口，所述第一开口底部的半导体衬底表面具有第一高K介质层，所述第一高K介质层表面具有填充满所述第一开口的伪栅极层，所述第二区域表面具有贯穿所述绝缘层厚度的第二开口，所述第二开口底部的半导体衬底表面具有第二高K介质层；在所述第二开口侧壁表面以及第二高K介质层表面形成第二功函数层；在所述第二功函数层表面形成填充满所述第二开口的第二栅电极层，所述第二栅电极层的材料为铜；在形成第二栅电极层后，去除第一开口内的伪栅极层；在去除第一开口内的伪栅极层后，在所述第一开口侧壁表面以及第一高K介质层表面形成第一功函数层；在所述第一功函数层表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层表面形成填充满所述第一开口的第一栅电极层，所述第一栅电极层的材料为铝。