[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括以下步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的第一硬掩膜层；在所述半导体衬底和硬掩膜层上覆盖第二硬掩膜层；刻蚀所述第二硬掩膜层，剩余的第二硬掩膜层位于所述开口的侧壁上；以所述第一硬掩膜层和剩余的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，以形成沟槽；对所述剩余的第二硬掩膜层进行回拉工艺；进行热氧化工艺，以圆化所述沟槽顶部边缘；在所述沟槽中填充隔离材料；进行化学机械研磨工艺，直至暴露所述半导体衬底。本发明所述浅沟槽隔离结构的制作方法能够降低在沉积隔离材料的过层中在沟槽顶部边缘形成空气间隙，提高浅沟槽隔离结构的绝缘特性和稳定性。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层中具有暴露所述半导体衬底的开口；在所述半导体衬底和硬掩膜层上覆盖第二硬掩膜层；刻蚀所述第二硬掩膜层，使剩余的第二硬掩膜层位于所述开口的侧壁上；以所述第一硬掩膜层和剩余的第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，以形成沟槽；对所述剩余的第二硬掩膜层进行回拉工艺，使得所述第二硬掩膜层变薄，以增大所述沟槽的开口大小，回拉工艺之后所述剩余的第二硬掩膜层具有倾斜侧壁；进行热氧化工艺，以圆化所述沟槽顶部边缘；在所述沟槽中填充隔离材料；以及进行化学机械研磨工艺，直至暴露所述半导体衬底的表面。